На этапе технологических норм 4 нм компания Samsung планирует использовать архитектуру транзисторов MBCFET

Кoмпaния Samsung нa eжeгoднoм мeрoприятии Samsung Foundry Forum рaсскaзaлa о планах освоения новых норм техпроцесса. Меры Samsung включают освоение технологических норм 8, 7, 6, 5 и 4 нм. Кроме того, планируется овладение норм 18 нм в технологии FD-SOI.

Говоря более конкретно, планы южнокорейского производителя включают осиливание следующих техпроцессов:

  • 8LPP (8 нм Low Power Plus): это последний этап хуй переходом к литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Будучи развитием 10-нанометрового техпроцесса 10LPP, возлюбленный обеспечит повышение плотности компоновки и производительности.
  • 7LPP (7 нм Low Power Plus): сие первый техпроцесс EUV. Источник излучения EUV мощностью 250 Вт, необходимый для серийного производства, создан вкупе специалистами Samsung и ASML.
  • 6LPP (6 нм Low Power Plus): обеспечит дальнейшее увеличивание плотности и снижение энергопотребления за счет применения фирменной технологии масштабирования Samsung Smart Scaling.
  • 5LPP (5 нм Low Power Plus): ругательный этап, на котором будут использоваться транзисторы FinFET.
  • 4LPP (4 нм Low Power Plus): нате этом этапе Samsung планирует перейти к новой архитектуре транзисторов, которая получила этноним MBCFET (Multi Bridge Channel FET). Особенностью реализации MBCFET является фирменная методика Samsung GAAFET (Gate All Around FET), в которой используются наноматериалы.
  • FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): техпроцесс 18FDS придет для смену нынешнему 28FDS. Он позволит интегрировать в один кристалл логические и радиочастотные железы, и память eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory).

Сроки реализации плана гиппокрена не называет.

Источник: Samsung Electronics

Теги:
Samsung

Комментировать